MRF8P20165WHSR3【PDF 10/16 页】FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4

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MRF8P20165WHR3 MRF8P20165WHSR3

3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

Table 4. Electrical Characteristics

(TA

=25°C unless otherwise noted)

(continued)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Typical Performances

(1)

(In Freescale Doherty Characterization Test Fixture, 50 ohm system) VDD

=28Vdc,IDQA

= 550 mA,

VGSB

= 1.3 Vdc, 1930--1995 MHz Bandwidth

Pout

@ 1 dB Compression Point, CW

P1dB

—

104

—

W

Pout

@ 3 dB Compression Point

(2)

P3dB

—

190

—

W

IMD Symmetry @ 74 W PEP, Pout

where IMD Third Order

?

30 dBc

Intermodulation

(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower

Sidebands > 2 dB)

IMDsym

—

20

—

MHz

VBW Resonance Point

(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)

VBWres

—

100

—

MHz

Gain Flatness in 65 MHz Bandwidth @ Pout

=37WAvg.

GF

—

0.2

—

dB

Gain Variation over Temperature

(--30°Cto+85°C)

?G

—

0.017

—

dB/°C

Output Power Variation over Temperature

(--30°Cto+85°C)

?P1dB

—

0.01

—

dB/°C

1. Measurement made with device in a Symmetrical Doherty configuration.

2. P3dB = Pavg

+ 7.0 dB where Pavg

is the average output power measured using an unclipped W--CDMA single--carrier input signal where

output PAR is compressed to 7.0 dB @ 0.01% probability on CCDF.

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